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基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管-发光学报2026年05期

基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管

作者:谢潇婷 林海燕 赵宇森 陈伟国 杨开宇 字体:      

文章编号:1000-7032(2026)05-0846-08

关键词:量子点发光二极管(QLEDs);高分辨率;纳米压印;热调控转印

中图分类号:TN312.8

文献标识码:A

DOI: 10.37188/CJL.20260021

CSTR: 32170.14. CJL. 20260021

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发光学报

2026年第05期