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一种新型的SiC金属氧化物半导体场效应管的寿命预测-中国机械工程2026年04期

一种新型的SiC金属氧化物半导体场效应管的寿命预测

作者:胡娅维 方响 尹传安 林子俊 林小卫 字体:      

中图分类号:TH17

DOI:10.3969/j.issn.1004-132X.2026.04.020 开放科学(资源服务)标识码(OSID):

ANovelSiCMOSFETLifetimePrediction

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中国机械工程

2026年第04期